Цепь цифровых логических клапанов

Цепь цифровых логических клапановНа выходе второго клапана появляется сигнал с амплитудой, равной амплитуде входного сигнала относительно тех же уровней напряжения максимального О или минимальной 1, что и на входе. Для измерения запаса от помех на вход цепи из двух клапанов от генератора импульсов подаются импульсы с амплитудой, идущие от уровня максимального О или минимальной 1 соответственно.

По результатам измерений строятся зависимости амплитуды выходных импульсных сигналов от входных импульсных сигналов для нулевых и единичных уровней. Запас от помех на переменном токе для нулевого уровня и запас от помех на переменном токе для единичного уровня определяются в местах пересечения построенных зависимостей с прямыми единичного усиления, для которых входные и выходные напряжения равны и, следовательно, усиление равно единице.

Совершенно аналогичным образом может быть измерен и запас от помех на переменном токе для цифровых логических клапанов с усилением по напряжению, не имеющих инвертирования сигнала.

Обычно запас от помех на переменном токе больше, чем на постоянном, и увеличивается при уменьшении длительности импульсов помех.

Для очень широких импульсов он определяется запасом от помех на постоянном токе. Однако по мере уменьшения длительности импульса усиление клапана падает и запас от помех увеличивается.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →