Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Большие трудности

Большие трудностиИнтегральные транзисторы обычно имеют форму прямоугольника шириной 50-200 мкм и длиной 75-300 мкм. Глубина эмиттерной области транзистора составляет несколько микрон, а толщина базы равняется нескольким десятым долям микрона. В тех случаях, когда транзисторы изготовляются с общим коллектором, их размеры получаются еще меньше. Благодаря таким малым размерам интегральных транзисторов, оказывается возможным изготовлять микроминиатюрные интегральные схемы, содержащие десятки транзисторов в кремниевой пластинке, имеющей площадь всего несколько квадратных миллиметров.

В полупроводниковых интегральных схемах диоды обычно изготовляют одновременно с транзисторами, используя те же самые процессы эпитаксии и диффузии, так что они фактически формируются из интегральных транзисторных структур.

В зависимости от того, какая часть транзисторной структуры используется, могут быть получены диоды с разной крутизной прямой характеристики и различным временем задержки восстановления обратного сопротивления. Имеется пять вариантов использования транзисторной структуры в качестве диода.

Электрические параметры и рабочие характеристики во всех этих вариантах будут различными.

Из-за накопления неосновных носителей диод не перестанет проводить немедленно после того, Как прямое смещение на нем изменится на обратное, восстановление обратного сопротивления произойдет с некоторым временем задержки, которое можно также называть временем переключения.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.