Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Аналогичный транзисторный эффект

Аналогичный транзисторный эффектОднако одновременное производство всех транзисторов, размещающихся в одной интегральной схеме, и их тесная физическая близость обеспечивают очень хорошее относительное согласование параметров этих транзисторов как в процессе производства, так и во время работы, а также стабильную работу интегральных схем в широком диапазоне температур. Наиболее широкое распространение получили планар-ные кремниевые транзисторы типа п-р-п. Это происходит потому, что пленарные кремниевые транзисторы типа р-п-р имеют худшие электрические характеристики в результате меньшей подвижности неосновных носителей в базовой области, и, кроме того, производство их связано с технологическими трудностями, вызываемыми формированием инверсного слоя на границе двуокиси кремния и кремния с проводимостью р-типа, возникающего благодаря свойству двуокиси кремния принимать примеси р-типа и отвергать примеси и-типа. Еще большие трудности возникают при создании интегральных схем, имеющих одновременно изолированные р-п-р и п-р-п транзисторы, однако наличие пары дополняющих транзисторов очень удобно и открывает возможности создания интегральных схем с очень высокими характеристиками.

В некоторых случаях оказывается очень полезным применение транзисторов р-п-р — типа, сформированных базовой областью транзистора n-p-n-типа, его коллекторной областью и подложкой. Такие транзисторы, когда они специально сформированы, обладают достаточно хорошими характеристиками, но имеют общий коллектор.

Благодаря этому, они могут использоваться только в качестве эмиттерных повторителей.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.