Однако одновременное производство всех транзисторов, размещающихся в одной интегральной схеме, и их тесная физическая близость обеспечивают очень хорошее относительное согласование параметров этих транзисторов как в процессе производства, так и во время работы, а также стабильную работу интегральных схем в широком диапазоне температур. Наиболее широкое распространение получили планар-ные кремниевые транзисторы типа п-р-п. Это происходит потому, что пленарные кремниевые транзисторы типа р-п-р имеют худшие электрические характеристики в результате меньшей подвижности неосновных носителей в базовой области, и, кроме того, производство их связано с технологическими трудностями, вызываемыми формированием инверсного слоя на границе двуокиси кремния и кремния с проводимостью р-типа, возникающего благодаря свойству двуокиси кремния принимать примеси р-типа и отвергать примеси и-типа. Еще большие трудности возникают при создании интегральных схем, имеющих одновременно изолированные р-п-р и п-р-п транзисторы, однако наличие пары дополняющих транзисторов очень удобно и открывает возможности создания интегральных схем с очень высокими характеристиками.
В некоторых случаях оказывается очень полезным применение транзисторов р-п-р — типа, сформированных базовой областью транзистора n-p-n-типа, его коллекторной областью и подложкой. Такие транзисторы, когда они специально сформированы, обладают достаточно хорошими характеристиками, но имеют общий коллектор.
Благодаря этому, они могут использоваться только в качестве эмиттерных повторителей.