Запоминающий элемент

Запоминающий элементФирма Fairchi Id Semiconductor ведет разработки запоминающих устройств на основе металлооксидных полупроводников (MOS). В одном запоминающем блоке эта фирма размещает 16 четырехразрядных слов, адресный дешифратор, адресные возбудители и вентили для записи информации. Рассеяние мощности на один элемент в этом блоке составляет 0,6 мет. Нуль информации соответствует 0 б на выходе, единица соответствует +10 в. Наибольшая мощность, рассеиваемая в блоке в зависимости от адреса, колеблется от 40 до 120 мет. Весь запоминающий блок размещается в корпусе ТО-5. Комбинируя определенным образом на многослойной плате такие блоки, можно получать ЗУ требуемой емкости и разрядности.

Очевидно, что эта разработка является значительным достижением и открывает большие перспективы в построении памятей. Современное развитие техники микроминиатюризации приводит к снижению веса, уменьшению размеров и стоимости электронной аппаратуры и к значительному увеличению ее надежности.

Если снижение веса и уменьшение габаритов является очевидным последствием развития техники миниатюризации, то уменьшение стоимости и увеличение надежности не являются столь очевидными факторами.

Миниатюризация блоков и субблоков выдвигает на передний план проблему межсхемных соединений, которая является слабым звеном в цепи надежностисложной электронной системы.

Попытки уменьшить объем монтажных проводов обратной стороны панели цифровой вычислительной машины путем использования проводов с меньшим сечением приводили к частым обрывам и в целом к ухудшению надежности.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.