Законченная конструкция

Законченная конструкцияДля проверки этого метода используется испытательная плата специальной конструкции, не требующая применения кремниевых интегральных микросхем. На ней размещаются макетные корпусы или плоские проводники с целью испытания целостности схемного рисунка при сварке и при воздействии внешних условий. Каждая из четырех таких испытательных плат имела в общей сложности 160 сварных штырей, половина из которых осуществляла контакт с обоими слоями проводников, а другая половина — с одним слоем.

Конструкция схемы была подобрана таким образом, чтобы обеспечить возможность испытаний целостности схемы как с точки зрения непрерывности цепей, так и изоляции между цепями. Каждая индивидуальная схема на плате может иметь обрыв, если любое из шестидесяти сваренных со штырями соединений станет некачественным.

Кроме того, у каждой схемы может быть короткое замыкание с другой схемой примерно через двадцать пять штырей. К штырям платы приваривались два материала: покрытая золотом коваровая лента толщиной 75 мкм и шириной 250 мкм, используемая для выводов плоских корпусов, и никелевая лента толщиной 250 мкм и шириной 500 мкм. Для обоих материалов давление на сваривающую головку составляло 800 и 200 г. Коваровая лента сваривалась при энергии 2,5 вт-сек, а никелевая — при 3 вт-сек. Сварки были выполнены на четырех платах, которые подвергались затем внешним испытаниям в условиях многократных температурных циклов, в условиях вибраций на частоте от 30 до 2000 гц с ускорениями до 15 при разных положениях и в условиях ударов.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →