Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Задачи микроэлектроники

Задачи микроэлектроникиПервый этап микроэлектроники ЦВМ начался в конце первой половины 60-х годов и характеризуется постепенной заменой транзисторной электроники интегральными схемами. Интегральная схема представляет собой один или несколько функциональных электронных элементов, таких как триггер, клапан, одновибратор, усилитель, инвертор, формирователь и т. д., нераздельно, интегрально, собранных в виде отдельного электронного прибора, выполняющего нужную функцию. Такая интегральная схема размещается в отдельном корпусе, имеющем обычно от 10 до 40 выводов, и заменяет обычную электронную схему, насчитывающую несколько десятков или сотен транзисторов, диодов, резисторов и конденсаторов.

В интегральной схеме не имеется дискретных деталей и приборов, а их функции выполняют определенные отдельные области интегральных схем, являющиеся как бы аналогами обычных дискретных транзисторов, диодов, резисторов и конденсаторов.

Имея небольшие размеры, вес и потребляемую мощность, интегральные схемы, в то же время, отличаются высокой надежностью, приближающейся к надежности отдельных транзисторов. В 1964 г. для интегральных схем уже была достигнута интенсивность отказов 0,04%/1000 час, в 1965 г. она составляла 0,01 %/1000 час, в 1966г.

-0,003%/1000час, а в 1967 г. достигнет значения 0,001 %/1000 час.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.