Оборудование

Время, занимаемое диффузионными процессами

Время, занимаемое диффузионными процессамиЭпитаксиальное выращивание. Метод эпитаксиального выращивания заключается в осаждении атомов кремния из газовой фазы на монокристаллические пластины кремния, сапфира или некоторых других материалов, в результате чего получаются тонкие монокристаллические пленки (эпитаксиальные слои), обладающие заданными свойствами.

Оси кристаллической решетки осажденной пленки являются продолжением осей кристаллической решетки подложки, благодаря чему образуется монокристаллическая структура. В процессе выращивания пленки в нее можно вводить легирующие примеси, создавая полупроводниковые пленки с нужным распределением концентрации и заданным типом проводимости.

Благодаря этому удается получить сильно легированные области внутри монокристаллической кремниевой пластины и четкие границы между областями, имеющими проводимости различных типов.

Метод эпитаксиального выращивания подобен методу разложения паров, применяемому при изготовлении тонких пленок. В настоящее время наиболее распространенным является выращивание эпитаксиальных слоев кремния так называемым хлоридным способом, основанным на восстановлении тетрахлорида кремния.

Кремниевые пластины лежат на покрытом кварцем графитовом держателе, который нагревается с помощью высокочастотного нагрева и затем нагревает кремниевые пластины. Тетрахлорид кремния смешивается с водородом, являющимся носителем, и пропускается над кремниевыми пластинами.

Комментарии запрещены.