Время, занимаемое диффузионными процессами

Время, занимаемое диффузионными процессамиЭпитаксиальное выращивание. Метод эпитаксиального выращивания заключается в осаждении атомов кремния из газовой фазы на монокристаллические пластины кремния, сапфира или некоторых других материалов, в результате чего получаются тонкие монокристаллические пленки (эпитаксиальные слои), обладающие заданными свойствами.

Оси кристаллической решетки осажденной пленки являются продолжением осей кристаллической решетки подложки, благодаря чему образуется монокристаллическая структура. В процессе выращивания пленки в нее можно вводить легирующие примеси, создавая полупроводниковые пленки с нужным распределением концентрации и заданным типом проводимости.

Благодаря этому удается получить сильно легированные области внутри монокристаллической кремниевой пластины и четкие границы между областями, имеющими проводимости различных типов.

Метод эпитаксиального выращивания подобен методу разложения паров, применяемому при изготовлении тонких пленок. В настоящее время наиболее распространенным является выращивание эпитаксиальных слоев кремния так называемым хлоридным способом, основанным на восстановлении тетрахлорида кремния.

Кремниевые пластины лежат на покрытом кварцем графитовом держателе, который нагревается с помощью высокочастотного нагрева и затем нагревает кремниевые пластины. Тетрахлорид кремния смешивается с водородом, являющимся носителем, и пропускается над кремниевыми пластинами.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →