Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Время диффузии

Время диффузииСопротивление коллекторной области и пробивное напряжение теперь больше не определяются требованием получения необходимого коллекторного напряжения транзистора в режиме насыщения, поскольку это напряжение при использовании утопленного слоя много меньше тех, которые получаются при использовании двух предыдущих методов изоляции. Однако полная емкость получается не меньше, чем при методе трехкратной диффузии, что объясняется большой емкостью вдоль боковых сторон изолирующего р-п перехода, возникающей благодаря наличию сильно легированного p-f-слоя.

Если размеры транзистора составляют, как и ранее, 70×110 мкм, то при толщине эпитаксиального слоя = 12 мкм и типичных значениях концентрации примесей в теле кремния в эпитаксиальном слое и на поверхности диффузионных изолирующих областей полная емкость изолированного острова относительно подложки будет равна 3,8 пф, причем емкость вдоль боковых сторон острова равняется 2 пф. Изоляция с помощью смещенных в обратном направлении р-п переходов является самой простой и наиболее широко распространенной формой изоляции интегральных компонентов в полупроводниковых интегральных схемах. Однако этому типу изоляции свойствен целый ряд недостатков и ограничений.

Комментарии запрещены.