Сопротивление коллекторной области и пробивное напряжение теперь больше не определяются требованием получения необходимого коллекторного напряжения транзистора в режиме насыщения, поскольку это напряжение при использовании утопленного слоя много меньше тех, которые получаются при использовании двух предыдущих методов изоляции. Однако полная емкость получается не меньше, чем при методе трехкратной диффузии, что объясняется большой емкостью вдоль боковых сторон изолирующего р-п перехода, возникающей благодаря наличию сильно легированного p-f-слоя.
Если размеры транзистора составляют, как и ранее, 70×110 мкм, то при толщине эпитаксиального слоя = 12 мкм и типичных значениях концентрации примесей в теле кремния в эпитаксиальном слое и на поверхности диффузионных изолирующих областей полная емкость изолированного острова относительно подложки будет равна 3,8 пф, причем емкость вдоль боковых сторон острова равняется 2 пф. Изоляция с помощью смещенных в обратном направлении р-п переходов является самой простой и наиболее широко распространенной формой изоляции интегральных компонентов в полупроводниковых интегральных схемах. Однако этому типу изоляции свойствен целый ряд недостатков и ограничений.