Возбуждение матриц

Возбуждение матрицОписанные микроферритовые матрицы на основе тороидальных сердечников являются шагом вперед по пути создания ЗУ с большой плотностью размещения информации при значительной механизации его изготовления. Однако сборка матриц включает операцию продевания провода через микроотверстия сердечников, собранных в ленты. Эта операция в значительной степени снижает технологичность представленного выше устройства и не позволяет уменьшить размер отверстия для уменьшения мощности возбуждения.

Многоотверстные элементы. Полностью избежать операции продевания провода через микроотверстие и уменьшить его диаметр можно, используя ЗУ так называемого мозаичного типа.

В качестве запоминающего элемента такого устройства применяется прямоугольная ферритовая пластинка с размерами 2x2x0,25 мм. Размеры по толщине пластинки выдерживаются с точностью до ± 0,0025 мм, остальные размеры — до +0,012 мм. Такая точность необходима для обеспечения механизированного процесса сборки матрицы. После термической обработки в центре пластинки сверлятся с помощью электронного луча большой мощности четыре или два отверстия в зависимости от того, четырех или двухпроводная система будет использоваться.

Диаметр каждого отверстия составляет 0,025 мм, расстояние между центрами 0,05 мм. На пластинку затем наносят слой проводящей пасты, состоящей из смеси тонкого порошка серебра и кремнийорганической связки, и продавливают ее в отверстия пластинки. При умеренном нагревании паста затвердевает, образуя проводящие каналы в феррите.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →