Варианты триггерных интегральных схем

Варианты триггерных интегральных схемРассмотренные характеристики цифровых интегральных схем позволяют сделать заключение, что различные логические системы цифровых интегральных схем, с одной стороны, имеют много общих параметров, а, с другой стороны, оценка и сравнение таких логических систем является исключительно сложным и трудным делом. Именно это и необходимо учитывать при рассмотрении в дальнейшем различных логических систем цифровых интегральных схем.

Модифицированная транзисторная логика с непосредственными связями, типичный клапан которой явилась дальнейшим развитием обычной транзисторной логики с непосредственными связями и отличается от нее наличием сопротивлений в цепях баз входных транзисторов, подключаемых к общему выходному узлу клапана.

Однако, даже несмотря на эту модификацию, для МТЛНС схем существует неравномерное распределение токов, текущих к базам параллельно включенных входных транзисторов из общего коллекторного узла на выходе клапана. Наибольшее распространение получили в настоящее время цифровые интегральные схемы МТЛНС фирмы Fairchild Semiconductor серий милливаттная микрологика (MWjxL) и быстродействующая микрологика (p-L). Эти две группы стандартных схем, дополняющие друг друга по своим характеристикам, насчитывают около 20 типов интегральных схем и выпускаются уже несколько лет в больших количествах.

Сочетание двух групп микрологики позволяет удовлетворить требования большого быстродействия или малой потребляемой мощности. Каждый тип интегральной схемы имеет свою матрицу интегральных компонентов, использующую эпитаксиальный способ изоляции.

Все схемы являются полупроводниковыми монолитными интегральными схемами.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →