Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Транзисторы

ТранзисторыОсновная разница между дискретными и интегральными пленарными транзисторами состоит в расположении коллекторного вывода. Дискретный планарный транзистор представляет трехслойную полупроводниковую структуру, у которой коллекторный вывод располагается на кремниевой пластине со стороны, противоположной базовому и эмиттериому выводам. Интегральные транзисторы, использующие изоляцию смещенным в обратном направлении р-п переходом, образуют 4-слойную структуру, у которой коллекторный вывод располагается на той же стороне, что и остальные выводы, давая возможность подсоединяться к нему в интегральной схеме и обеспечивая создание изолированных островов в кремниевой пластинке интегральной схемы.

При этом площадь коллекторного перехода получается небольшой, а длина контура, по которому проходит коллекторный ток, сильно увеличивается, благодаря чему сильно увеличивается коллекторное сопротивление насыщенного транзистора, и, в результате, падение напряжения на коллекторе в режиме насыщения получается значительно большим, чем у дискретных транзисторов.

Как и в случае дискретных транзисторов, изготовление коллекторной области из сильно легированного материала с малым сопротивлением привело бы к получению низкого напряжения пробоя коллектора и одновременно к увеличению паразитной емкости между коллектором и подложкой.

Комментарии запрещены.