Транзисторы

ТранзисторыОсновная разница между дискретными и интегральными пленарными транзисторами состоит в расположении коллекторного вывода. Дискретный планарный транзистор представляет трехслойную полупроводниковую структуру, у которой коллекторный вывод располагается на кремниевой пластине со стороны, противоположной базовому и эмиттериому выводам. Интегральные транзисторы, использующие изоляцию смещенным в обратном направлении р-п переходом, образуют 4-слойную структуру, у которой коллекторный вывод располагается на той же стороне, что и остальные выводы, давая возможность подсоединяться к нему в интегральной схеме и обеспечивая создание изолированных островов в кремниевой пластинке интегральной схемы.

При этом площадь коллекторного перехода получается небольшой, а длина контура, по которому проходит коллекторный ток, сильно увеличивается, благодаря чему сильно увеличивается коллекторное сопротивление насыщенного транзистора, и, в результате, падение напряжения на коллекторе в режиме насыщения получается значительно большим, чем у дискретных транзисторов.

Как и в случае дискретных транзисторов, изготовление коллекторной области из сильно легированного материала с малым сопротивлением привело бы к получению низкого напряжения пробоя коллектора и одновременно к увеличению паразитной емкости между коллектором и подложкой.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.