При подаче на затвор напряжения нужной полярности электрическое поле, возникающее в канале под слоем двуокиси кремния, индуцирует возле верхней поверхности кремниевой подложки заряд, в результате чего между истоком и стоком возникает омическая цепь и начинает быстро нарастать ток. В зависимости от типа используемых основных носителей имеются МОП транзисторы р — и л-типа. В транзисторах л-типа подложка изготовляется из материала р-типа и на нее подается наиболее отрицательный потенциал — потенциал истока. Для включения такого транзистора на затвор подается положительный потенциал, индуцирующий отрицательный заряд.
В транзисторе р-типа подложка изготовляется из материала л-типа и на нее подается наиболее положительный потенциал — потенциал истока. Он включается путем подачи на затвор отрицательного потенциала, положительный заряд.
Таким образом, в МОП транзисторах л-типа основными носителями являются электроны, а в МОП транзисторах р-типа — дырки.
МОП транзистор с обеднением, называемый также нормально включенным транзистором, состоит из двух сильно легированных областей (истока и стока), соединенных каналом из материала с проводимостью такого же типа и окруженных подложкой, имеющей материал и проводимость противоположного типа.