Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Транзистор с обогащением

Транзистор с обогащениемПри подаче на затвор напряжения нужной полярности электрическое поле, возникающее в канале под слоем двуокиси кремния, индуцирует возле верхней поверхности кремниевой подложки заряд, в результате чего между истоком и стоком возникает омическая цепь и начинает быстро нарастать ток. В зависимости от типа используемых основных носителей имеются МОП транзисторы р — и л-типа. В транзисторах л-типа подложка изготовляется из материала р-типа и на нее подается наиболее отрицательный потенциал — потенциал истока. Для включения такого транзистора на затвор подается положительный потенциал, индуцирующий отрицательный заряд.

В транзисторе р-типа подложка изготовляется из материала л-типа и на нее подается наиболее положительный потенциал — потенциал истока. Он включается путем подачи на затвор отрицательного потенциала, положительный заряд.

Таким образом, в МОП транзисторах л-типа основными носителями являются электроны, а в МОП транзисторах р-типа — дырки.

МОП транзистор с обеднением, называемый также нормально включенным транзистором, состоит из двух сильно легированных областей (истока и стока), соединенных каналом из материала с проводимостью такого же типа и окруженных подложкой, имеющей материал и проводимость противоположного типа.

Комментарии запрещены.