Схемы, входящие в состав 52-й серии

Схемы, входящие в состав 52-й серииВо входных каскадах схем SN524 и SN526 используются пары транзисторов, известные под названием пары Дарлингтона, позволяющие получить высокий входной импеданс, равный 1 Мом. Выходной каскад схемы SN526 работает в режиме класса В и использует на выходе эмиттер-ные повторители на транзисторах типов р-п-р и п-р-п. Благодаря этому схема обеспечивает получение перепада напряжения выходного сигнала ±5 в на нагрузке 500 ом. Схема SN525 отличается большим усилением и высокой стабильностью, обеспечивая получение высокого перепада выходного напряжения, составляющего ±9 в. Схемы SN525 и SN526 могут работать при больших уровнях входных сигналов, достигающих ±5 в. Для всех схем используют стандартный плоский коваровый корпус с 10 или 14 выводами, обеспечивающий получение высокой надежности. Интегральные схемы 52-й серии широко применяются в различных аэрокосмических системах, обеспечивая нормальную работу в диапазоне температур от -55 до 4-125° С. Возможности проектирования усилительных схем еще более расширились после выпуска фирмой Texas Instruments 55-й серии стандартных линейных интегральных схем высокочастотных усилителей. В состав этой серии входит схема SN5500, представляющая собой законченный усилитель считывания для запоминающего устройства на ферритовых сердечниках, включающий клапан стробирования и схему формирования выходных импульсов.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →