Параметр р представляет собой коэффициент отношения сопротивления резистора, включенного в коллекторную цепь транзистора Т2, к полному сопротивлению входного резистора R. Применение транзистора Т2 с коллектором, подсоединенным к отводу входного сопротивления, значительно повышает помехозащищенность, что особенно заметно в худшем случае, получающемся при -55° С, когда усиление инвертирующего транзистора Тх минимально. На основании тщательного исследования различных характеристик клапанных схем, у которых один смещающий диод заменен транзистором с коллектором, подсоединяемым к отводу входного сопротивления, для клапанор диодно-транзисторной микрологики фирмы Fairchild Semiconductor коэффициент отношения сопротивлений резисторов р был выбран равным 0,46, а средняя рассеиваемая мощность — равной 5 мет. При этом сопротивление резистора pR получается равным 1,75 ком, а сопротивление резистора (1 — p)R — равным 2 ком. Величина сопротивления коллекторного резистора инвертора aR выбрана равной 6 ком. Сопротивление резистора mR в цепи базы транчипу.
В настоящее время серия схем диодно-транзисторной микрологики включает 14 цифровых интегральных схем и обеспечивает разработку цифровых систем со средним быстродействием, отличающихся высокой помехозащищенностью.