Структуры интегральных схем

Структуры интегральных схемПроцесс непосредственного изготовления монолитной гибридной интегральной структуры начинают с термического выращивания слоя двуокиси кремния на пластине монолитного кремния р-типа. После этого выполняют маскированную диффузию сильно легированных областей типа, образующих утопленные слои для коллекторных областей транзисторов, которые потом будут изготовлены над ними. По окончании диффузии слой двуокиси кремния удаляют и на всей поверхности кремниевой пластины выращивают эпитаксиальный слой монокристаллического кремния — типа с высоким удельным сопротивлением, на котором затем выращивают новый слой двуокиси кремния.

На следующем этапе выполняют маскированную диффузию изолирующих областей р+-типа через эпитаксиальный слой, образующую изолированные острова п-типа для коллекторов, транзисторов и перемыкающих каналов.

После повторного окисления следующая маскированная диффузия изготовляет в коллекторных изолированных островах, предназначенных для транзисторов, базовые области р-типа.

Затем кремниевую пластину опять окисляют и производят последнюю диффузию, которая формирует области п+-типа для эмиттеров транзисторов, коллекторных контактных колец и перемыкающих каналов. Снова пластину окисляют (в последний раз) и сквозь слой двуокиси кремния маскирование вытравливают окна в тех местах, где требуется осуществление омических контактов с кремнием для образования выводов транзисторов и перемыкающих каналов.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.