Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Структуры интегральных схем

Структуры интегральных схемПроцесс непосредственного изготовления монолитной гибридной интегральной структуры начинают с термического выращивания слоя двуокиси кремния на пластине монолитного кремния р-типа. После этого выполняют маскированную диффузию сильно легированных областей типа, образующих утопленные слои для коллекторных областей транзисторов, которые потом будут изготовлены над ними. По окончании диффузии слой двуокиси кремния удаляют и на всей поверхности кремниевой пластины выращивают эпитаксиальный слой монокристаллического кремния — типа с высоким удельным сопротивлением, на котором затем выращивают новый слой двуокиси кремния.

На следующем этапе выполняют маскированную диффузию изолирующих областей р+-типа через эпитаксиальный слой, образующую изолированные острова п-типа для коллекторов, транзисторов и перемыкающих каналов.

После повторного окисления следующая маскированная диффузия изготовляет в коллекторных изолированных островах, предназначенных для транзисторов, базовые области р-типа.

Затем кремниевую пластину опять окисляют и производят последнюю диффузию, которая формирует области п+-типа для эмиттеров транзисторов, коллекторных контактных колец и перемыкающих каналов. Снова пластину окисляют (в последний раз) и сквозь слой двуокиси кремния маскирование вытравливают окна в тех местах, где требуется осуществление омических контактов с кремнием для образования выводов транзисторов и перемыкающих каналов.

Комментарии запрещены.