Сопротивление контрольного резистора

Сопротивление контрольного резистораНа этом этапе величины сопротивлений резисторов могут дополнительно подгоняться путем высокотемпературного окисления. Образующиеся при этом на поверхности нихромовой пленки окислы уменьшают ее толщину и соответственно увеличивают сопротивление резисторов, которые предварительно изготовляются с несколько меньшим, чем нужно, сопротивлением.

В результате точность изготовления резисторов может достигать нескольких процентов. После этого следующую алюминиевую пленку опять напыляют на всю поверхность пластины, а затем вытравливают через фоторезистивную маску, образуя необходимые соединения между транзисторами, перемыкающими каналами и резисторами, а также нижние пластины конденсаторов.

Одиннадцать алюминиевых квадратных контактных пятачков, образованных по краям пластины, будут использоваться в дальнейшем для подсоединения к внешним выводам корпуса. Следующий этап состоит в осаждении на всю поверхность пластины слоя диэлектрика, образующего стекло из смеси окислов алюминия и кремния (А1203 + Si02).

Осаждение выполняется методом разложения паров при умеренной температуре и также не приводит к изменению кремниевых структур, находящихся внутри кремниевой пластинки под слоем двуокиси кремния. Слой стекла (А1203 + Si02) используется как диэлектрик конденсатора и как защитный слой, предохраняющий нихромовые резисторы от окисления.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью