На этом этапе величины сопротивлений резисторов могут дополнительно подгоняться путем высокотемпературного окисления. Образующиеся при этом на поверхности нихромовой пленки окислы уменьшают ее толщину и соответственно увеличивают сопротивление резисторов, которые предварительно изготовляются с несколько меньшим, чем нужно, сопротивлением.
В результате точность изготовления резисторов может достигать нескольких процентов. После этого следующую алюминиевую пленку опять напыляют на всю поверхность пластины, а затем вытравливают через фоторезистивную маску, образуя необходимые соединения между транзисторами, перемыкающими каналами и резисторами, а также нижние пластины конденсаторов.
Одиннадцать алюминиевых квадратных контактных пятачков, образованных по краям пластины, будут использоваться в дальнейшем для подсоединения к внешним выводам корпуса. Следующий этап состоит в осаждении на всю поверхность пластины слоя диэлектрика, образующего стекло из смеси окислов алюминия и кремния (А1203 + Si02).
Осаждение выполняется методом разложения паров при умеренной температуре и также не приводит к изменению кремниевых структур, находящихся внутри кремниевой пластинки под слоем двуокиси кремния. Слой стекла (А1203 + Si02) используется как диэлектрик конденсатора и как защитный слой, предохраняющий нихромовые резисторы от окисления.