В этом стекле методом травления через фоторезистивную маску образуют окна для контактных пятачков и два небольших отверстия для осуществления контакта верхних пластин конденсаторов с алюминиевыми соединениями, расположенными под стеклом. На заключительном этапе на всю пластину опять напыляют слой алюминия, который затем протравливают через фоторезистивную маску, оставляя невытравленный алюминий на месте верхних пластин конденсаторов и на контактных пятачках для подсоединения внешних выводов, которые, благодаря этому, получаются более толстыми.
Уменьшая площадь верхней пластины конденсатора с помощью дополнительной операции фотомаскирования и травления, можно осуществить подгонку величины емкости конденсатора и получить точные конденсаторы.
На этом изготовление планарной интегральной монолитной гибридной структуры заканчивается.
Фактически одновременно изготовляется несколько десятков интегральных структур, располагающихся на одной кремниевой пластине.
После окончания всех процессов изготовления интегральных компонентов эту пластину разрезают на пластинки, каждая из которых содержит отдельную интегральную структуру, готовую для размещения в корпусе.