МОП транзисторы в силу своей специфики изолированы от подложки, благодаря чему МОП транзисторы одного типа проводимости легко могут изготовляться и соединяться между собой на одной подложке без специальных изолирующих структур. В этом случае подложка действует как обычный затвор, но если ее сопротивление достаточно Велико, то она не будет оказывать заметного влияния. Естественная изоляция МОП транзисторов от подложки делает их очень удобными для использования в интегральных схемах и позволяет получить очень большую плотность компоновки интегральных компонентов, поскольку изолирующие области при этом не нужны.
Относительная простота структуры МОП транзисторов сделала их наиболее перспективными активными приборами для изготовления на изолирующих подложках вместе с тонкопленочными пассивными компонентами.
Законченные структуры интегральных схем чрезвычайно разнообразны и сложны.
Выбор структуры определяется требованиями, предъявляемыми к схеме, и достигнутым технологическим уровнем производства. Мы рассмотрим типовую структуру интегральной схемы на примере планарной интегральной монолитной гибридной структуры, которая получается с помощью технологических процессов изготовления тонких пленок и полупроводниковых областей.
Такая структура представляет собой сочетание активных кремниевых компонентов с тонкопленочными пассивными компонентами, что значительно улучшает их характеристики.