Оборудование

Проведение многократной диффузии

Проведение многократной диффузииСовременные фоторезистивные маски обладают большой химической стойкостью, поэтому подтравливание у краев маски получается небольшим и маска, изготовляемая из пленки двуокиси кремния, очень хорошо выдерживает формы и размеры фоторезистивной маски. После того, как вытравливание незамаскированных участков слоя Si02 заканчивается, фоторезистивную маску удаляют, а поверхность кремниевой пластины тщательно очищают и промывают.

Использование маскирования слоем двуокиси кремния для создания полупроводниковой структуры методом двукратной диффузии.

В результате получена полупроводниковая структура в монокристаллическом кремнии, имеющая нужные размеры и геометрическую форму электронно-дырочных переходов и нужную их глубину и концентрацию. Следует отметить, что во время 2-й диффузии продолжалась также диффузия примесей, введенных в кремний во время 1-й диффузии.

Это обычно ограничивает общее число диффузий, проводимых в одну кремниевую пластинку, и на практике редко встречаются структуры, образованные более, чем четырехкратной диффузией.

Неровность слоя Si02 на поверхности кремниевой пластинки, получающаяся в результате многократных диффузий, невелика и не мешает осаждению на нем фоторезистивных масок или тонких пленок. Использование масок из слоя Si02 позволяет получать легированные области размером до 5 мкм.

Комментарии запрещены.