Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Применение планарной технологии

Применение планарной технологииВажнейшими из них являются: 1) возможность широкого применения масок; 2) возможность одновременного изготовления большого количества интегральных схем (доходящего до нескольких сотен); 3) возможность изготовления сложных интегральных схем, содержащих десятки и сотни интегральных компонентов. Таким образом, планарная технология является технологией массового производства, обеспечивающей получение недорогих высоконадежных интегральных микросхем.

Основные технологические процессы обеспечивают выращивание на поверхности подложек пленок из различных материалов, имеющих нужную толщину и свойства. Рассмотрим некоторые из этих процессов, наиболее широко применяемые в настоящее время.

Разложение паров.

При этом методе используются пары, содержащие химические соединения осаждаемых материалов. Эти пары смешиваются с другими газами и поступают в камеру, где выполняется покрытие.

Обычно применяются два метода осаждения: восстановление замещением и тепловое разложение. При использовании восстановления замещением для осаждения металлических пленок пары галоида металла смешивают с водородом и направляют в камеру для покрытия, где пропускают над нагретой подложкой.

Происходит реакция восстановления, в результате которой на подложке осаждается пленка металла.

Все остальные продукты реакции и не прореагировавшие вещества удаляют.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.