Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Приготовление кремниевых пластин

Приготовление кремниевых пластинЭти монокристаллы с диаметром 25-30 мм разрезаются на отдельные пластины, толщина которых доводится до окончательной сначала путем механической шлифовки, а затем путем механической или химической полировки. После этого пластины обезжиривают, промывают, травят, опять промывают и сушат.

В результате получаются плоские пластины монокристаллического кремния нужного размера, не имеющие дефектов на поверхности кристалла.

Эти пластины пригодны для выполнения диффузии и эпитаксиального выращивания. Маскирование.

Было найдено, что для многих примесей (в первую очередь, для бора и фосфора) слой двуокиси кремния Si02 толщиной всего в несколько тысяч ангстрем служит эффективным барьером, предохраняющим от легирования находящийся под ним кремний.

Такой слой двуокиси кремния легко выращивается термически в обычной диффузионной печи в атмосфере кислорода или водяных паров.

Таким образом, если в слое двуокиси кремния прорезать изображение, то оно может служить в качестве диффузионной маски, разрешающей примесям проникать только в незащищенные Si02 участки на поверхности кремниевой пластины, ограничивая область действия диффузии и придавая ей требуемые размеры и форму.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.