Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Поверхности кремниевой пластины

Поверхности кремниевой пластиныПри проведении многократной диффузии в данную пластину кремния слой двуокиси кремния термически выращивается на всей поверхности пластины перед первой диффузией, а затем каждый диффузионный процесс ведется в два этапа. При этом, как уже говорилось, во время второго этапа диффузии на поверхности пластины кремния выращивается новый слой двуокиси кремния, обеспечивающий проведение маскирования для последующих этапов. После окончания первого этапа диффузии кремниевую пластину тщательно промывают, чтобы в процессе второго этапа диффузии можно было получить качественный слой Si02.

Таким образом, применение двуокиси кремния для маскирования легирующих примесей позволяет производить многократную диффузию и обеспечивает получение высокого качества диффузии и заданной концентрации примесей.

Однако при этом встречаются и некоторые трудности, как например, уменьшение концентрации акцепторов на поверхности кремния р-типа под слоем Si02, приводящее при малой концентрации к изменению типа проводимости и образованию так называемого инверсного слоя или инверсного канала л-типа. Для изготовления необходимой диффузионной маски из слоя Si02 применяется травление слоя двуокиси кремния через фоторезистивную маску, которая наносится непосредственно на слой двуокиси кремния.

Вытравливание незащищенного фоторезистором слоя Si02 производят травителем, содержащим плавиковую кислоту HF.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.