При проведении многократной диффузии в данную пластину кремния слой двуокиси кремния термически выращивается на всей поверхности пластины перед первой диффузией, а затем каждый диффузионный процесс ведется в два этапа. При этом, как уже говорилось, во время второго этапа диффузии на поверхности пластины кремния выращивается новый слой двуокиси кремния, обеспечивающий проведение маскирования для последующих этапов. После окончания первого этапа диффузии кремниевую пластину тщательно промывают, чтобы в процессе второго этапа диффузии можно было получить качественный слой Si02.
Таким образом, применение двуокиси кремния для маскирования легирующих примесей позволяет производить многократную диффузию и обеспечивает получение высокого качества диффузии и заданной концентрации примесей.
Однако при этом встречаются и некоторые трудности, как например, уменьшение концентрации акцепторов на поверхности кремния р-типа под слоем Si02, приводящее при малой концентрации к изменению типа проводимости и образованию так называемого инверсного слоя или инверсного канала л-типа. Для изготовления необходимой диффузионной маски из слоя Si02 применяется травление слоя двуокиси кремния через фоторезистивную маску, которая наносится непосредственно на слой двуокиси кремния.
Вытравливание незащищенного фоторезистором слоя Si02 производят травителем, содержащим плавиковую кислоту HF.