Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Получение фоторезистивной маски

Получение фоторезистивной маскиПосле этого фотонегатив маски, выполненный в масштабе 1:1, плотно прижимают к слою фоторезиста и очень точно центрируют относительно подложки при помощи специальных приспособлений. Затем параллельным пучком ультрафиолетовых лучей засвечивают через фотонеггтив слой фоторезиста, подобно тому, как это происходит при обычной контактной фотопечати. Под действием, облучения незащищенные участки фоторезистивного слоя полимеризуются.

Затем фотонегатив маски снимают, изображение, полученное на фоторезистивном слое, проявляют и задубливают, а незасвеченные участки фоторезистивного слоя смывают.

В результате на подложке образуется фоторезистивная маска, плотно прилегающая к обрабатываемой поверхности. Задубленный слой фоторезиста обладает большой химической стойкостью и большой сопротивляемостью к внешним воздействиям, поэтому фоторезистивная маска может быть использована при различных операциях осаждения и травления.

Этот, так называемый фотолитографический, метод изготовления фоторезистивных масок обеспечивает получение высокой точности, достигающей 1 мкм при минимальном размере окна в маске около 5 мкм и радиусах закругления окна 2-3 мкм. После того, как надобность в фоторезистивной маске отпадает, ее растворяют с помощью специальных растворителей и удаляют.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.