После этого фотонегатив маски, выполненный в масштабе 1:1, плотно прижимают к слою фоторезиста и очень точно центрируют относительно подложки при помощи специальных приспособлений. Затем параллельным пучком ультрафиолетовых лучей засвечивают через фотонеггтив слой фоторезиста, подобно тому, как это происходит при обычной контактной фотопечати. Под действием, облучения незащищенные участки фоторезистивного слоя полимеризуются.
Затем фотонегатив маски снимают, изображение, полученное на фоторезистивном слое, проявляют и задубливают, а незасвеченные участки фоторезистивного слоя смывают.
В результате на подложке образуется фоторезистивная маска, плотно прилегающая к обрабатываемой поверхности. Задубленный слой фоторезиста обладает большой химической стойкостью и большой сопротивляемостью к внешним воздействиям, поэтому фоторезистивная маска может быть использована при различных операциях осаждения и травления.
Этот, так называемый фотолитографический, метод изготовления фоторезистивных масок обеспечивает получение высокой точности, достигающей 1 мкм при минимальном размере окна в маске около 5 мкм и радиусах закругления окна 2-3 мкм. После того, как надобность в фоторезистивной маске отпадает, ее растворяют с помощью специальных растворителей и удаляют.