Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Площадь коллекторного перехода

Площадь коллекторного переходаПоэтому применяются другие способы уменьшения коллекторного сопротивления транзистора в режиме насыщения. Одним из способов уменьшения коллекторного сопротивления является применение в интегральном транзисторе сильно легированного утопленного слоя с высокой проводимостью, изготовленного или диффузией или эпитаксиальный выращиванием.

Этот слой располагается в теле коллектора и значительно уменьшает коллекторное сопротивление.

Дополнительное уменьшение коллекторного сопротивления достигается за счет создания сильно легированной области или кольца также и на поверхности коллекторной области, что одновременно уменьшает объем слабо легированной коллекторной области и накопление заряда в этой области.

В результате, интегральные планарные транзисторы с утопленным слоем, изготовленные с применением одинарной или двойной эпитаксии, имеют коллекторное падение напряжения в режиме насыщения лишь немного больше, чем у дискретных эпитаксиальных пленарных транзисторов.

Наконец, как уже отмечалось, применение метода диэлектрической изоляции, особенно с образованием металлических ванночек, позволяет получить интегральные транзисторы, ни в чем не уступающие дискретным образцам.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.