Поэтому применяются другие способы уменьшения коллекторного сопротивления транзистора в режиме насыщения. Одним из способов уменьшения коллекторного сопротивления является применение в интегральном транзисторе сильно легированного утопленного слоя с высокой проводимостью, изготовленного или диффузией или эпитаксиальный выращиванием.
Этот слой располагается в теле коллектора и значительно уменьшает коллекторное сопротивление.
Дополнительное уменьшение коллекторного сопротивления достигается за счет создания сильно легированной области или кольца также и на поверхности коллекторной области, что одновременно уменьшает объем слабо легированной коллекторной области и накопление заряда в этой области.
В результате, интегральные планарные транзисторы с утопленным слоем, изготовленные с применением одинарной или двойной эпитаксии, имеют коллекторное падение напряжения в режиме насыщения лишь немного больше, чем у дискретных эпитаксиальных пленарных транзисторов.
Наконец, как уже отмечалось, применение метода диэлектрической изоляции, особенно с образованием металлических ванночек, позволяет получить интегральные транзисторы, ни в чем не уступающие дискретным образцам.