Пластины с микроотверстиями

Пластины с микроотверстиямиИнтересным примером широкого использования многоотверстных ферритовых плат в качестве запоминающих элементов является ЗУ фирмы Bell System, разработанное для автоматических электронных телефонных станций. Это ЗУ построено на срок службы в 40 лет. В ЗУ используются ферритовые пластины с 256 отверстиями (16X 16). Через все отверстия одной пластины проходит печатная обмотка.

Остальные необходимые обмотки выполняются прошиванием отверстий отдельными проводами.

Диаметр отверстий равен 0,625 мм, толщина пластины 0,76 мм, расстояние между центрами отверстий 1,25 мм. Память организована по принципу совпадения двух полутоков, каждый полуток равен 250 ма. При этом считываемый сигнал составляет для разрушенной единицы 75 мв, а его длительность равна 0,9 мксек. Один модуль памяти составляет 8192 слова по 24 разряда каждое.

Цикл обращения сделан равным 5,5 мксек из соображений требований телефонной системы и не является максимальной способностью памяти.

Так как каждое отверстие несет единицу двоичной информации, то при общей емкости 196 608 бит для создания такой памяти потребовалось 768 многоотверстных пластин по 256 отверстий каждая.

Пластины изготовлены из магниймарганцевого феррита с высокой точкой Кюри, что позволило расширить рабочий диапазон температур для этого ЗУ от 0 до 4-45° С. Работающий модуль ЗУ на 8192 слова рассеивает мощность порядка 500 вт. В каждую АТС устанавливается для целей дублирования два модуля по 8192 слова. Эти данные показывают, что фирма очень широко будет использовать многоотверстные платы, причем, по заявлению фирмы, это наиболее дешевый вариант из всех ею просмотренных.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →