Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Основные технологические процессы

Основные технологические процессыПоэтому все дальнейшее рассмотрение технологических процессов, применяемых для изготовления интегральных схем, будет основном, рассмотрением процессов в кремнии. Для создания в кремнии областей с электронной проводимостью n-типа и дырочной проводимостью требуемой концентрации и глубины применяются два основных полупроводниковых технологических процесса — диффузия и эпитаксиальное выращивание. Диффузия.

Диффузией называется процесс переноса легирующих примесей в полупроводнике из областей с большей концентрацией в области с меньшей концентрацией, который вызван наличием градиента концентрации этой примеси в полупроводнике.

Основной акцепторной примесью, образующей в кремнии области р-типа, является бор, а основной донорной примесью, обпазующей области n-типа, является фосфор. Эти примеси достаточно быстро диффундируют при температурах 1200-1300° С и не проходят через двуокись кремния.

Величина концентрации примесей обычно определяется числом атомов примесей в 1 см вещества.

В соответствии с величиной концентрации различают три степени легирования кремния. При низкой степени легирования число атомов в 1 см составляет 10 — 0 5. ю180,5-1020 и при высокой 0,5 • 10го-1022.

Величина концентрации примесей может также характеризоваться удельным электрическим сопротивлением (ом-еж), причем большей концентрации соответствует меньшее удельное сопротивление кремния и наоборот.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.