Поэтому все дальнейшее рассмотрение технологических процессов, применяемых для изготовления интегральных схем, будет основном, рассмотрением процессов в кремнии. Для создания в кремнии областей с электронной проводимостью n-типа и дырочной проводимостью требуемой концентрации и глубины применяются два основных полупроводниковых технологических процесса — диффузия и эпитаксиальное выращивание. Диффузия.
Диффузией называется процесс переноса легирующих примесей в полупроводнике из областей с большей концентрацией в области с меньшей концентрацией, который вызван наличием градиента концентрации этой примеси в полупроводнике.
Основной акцепторной примесью, образующей в кремнии области р-типа, является бор, а основной донорной примесью, обпазующей области n-типа, является фосфор. Эти примеси достаточно быстро диффундируют при температурах 1200-1300° С и не проходят через двуокись кремния.
Величина концентрации примесей обычно определяется числом атомов примесей в 1 см вещества.
В соответствии с величиной концентрации различают три степени легирования кремния. При низкой степени легирования число атомов в 1 см составляет 10 — 0 5. ю180,5-1020 и при высокой 0,5 • 10го-1022.
Величина концентрации примесей может также характеризоваться удельным электрическим сопротивлением (ом-еж), причем большей концентрации соответствует меньшее удельное сопротивление кремния и наоборот.