Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Окисный слой

Окисный слойВремя, занимаемое диффузионными процессами при производстве интегральных схем, составляет 0,5-40 час в зависимости от нужной глубины, распределения концентрации и других причин. При этом в структурах, насчитывающих много локальных областей и переходов, диффузия будет происходить во всех областях одновременно, что нужно учитывать при составлении расписания диффузий и разработке соответствующих приборов. Это явление ограничивает получение нескольких тонких легированных областей в одной полупроводниковой структуре.

Необходимо отметить также важную роль, которую играет диффузия золота, приводящая к уменьшению времени жизни неосновных носителей, что существенно для создания приборов с малым временем переключения. Однако золото является очень быстро диффундирующим элементом, что затрудняет получение локального легирования золотом, даже если вносить его на последнем этапе обработки.

В настоящее время диффузия является важнейшим основным технологическим процессом изготовления полупроводниковых областей при массовом производстве компонентов интегральных схем.

Главным недостатком, свойственным диффузии, является изменение концентрации примесей от изменения глубины и невозможность в результате этого получить очень четкие границы между областями с различными типами проводимостей.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.