Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Неровность слоя

Неровность слояСледует отметить, что выходящий на поверхность кремниевой пластинки электронно-дырочный переход всегда находится под слоем двуокиси кремния, обеспечивающим получение высокой чистоты и прекрасных поверхностных условий в этой критической области, сводящих к минимуму поверхностные утечки. Для доступа к сформированным в кремнии легированным областям находящийся сверху на пластине слой двуокиси кремния вытравливают с помощью маски в нужных местах. Контакты.

Материал, используемый для образования выводов и для внутрисхемных соединений кремниевых компонентов интегральных схем и непосредственно контактирующий с кремнием через окно в двуокиси кремния, должен отвечать целому ряду требований.

Во-первых, должен быть хороший омический, невыпрямляющий, контакт как с материалами р-типа, так и с материалами п-типа при минимальном переходном сопротивлении. Во-вторых, материал должен хорошо сцепляться с кремнием и двуокисью кремния, не вступать с ними в реакции и обеспечивать удобное подсоединение к внешним выводам корпуса интегральных схем.

Материалом, удовлетворяющим этим требованиям и широко используемым в настоящее время для образования контактов и внутрисхемных соединений, является алюминий.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.