Наличие коллекторного резистора

Наличие коллекторного резистораЭта серия схем включает разнообразные схемы клапанов, в том числе многофункциональные, и схемы триггеров. J-К триггер и стробируемый R-S триггер используют для временного запоминания информации конденсаторы С4 и С2 и перебрасываются от отрицательного фронта сигнала. Схемы 200-й серии ДТЛ могут работать в диапазоне температур от -55 до +125° С и имеют среднее быстродействие.

Величина сопротивления.

входного резистора Re, включенного после входных логических диодов, составляет для 200-й серии 3,6 ком, а сопротивление резистора Ra в цепи утечки базы транзистора Т равняется 4,0 ком. Коллекторный резистор имеется в схемах клапанов, указанных в графе.

Одной из особенностей интегральных схем ДТЛ 200-й серии является наличие в ее составе клапана WM286, R-S-T триггера WM203 и триггерного разряда сдвигающего регистра WM205, состоящих из шести клапанов. Схемы 200-й серии фирмы Westinghouse выпускаются уже в течение ряда лет и нашли широкое применение в различных аэрокосмических цифровых электронных системах.

Большой интерес представляет также семейство интегральных схем диодно-транзисторной микрологики (DTpX) фирмы Fairchild Semiconductor. Один из смещающих диодов у них заменен транзистором, коллектор которого присоединен к отводу входного сопротивления.

Это уменьшает усиление транзисторов, необходимое для данного разветвления на выходе, или увеличивает разветвление на выходе для транзисторов с данным усилением. Семейство интегральных схем диодно-транзисторной микрологики спроектировано для работы в цифровых системах с частотой синхронизации в несколько мегагерц при рассеиваемой мощности 5 мет на каждый клапан и обладает запасом от помех, в худшем случае равным ±500 мв в диапазоне температур от -55 до +125° С.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →