Модифицированная транзисторная логика с непосредственными связями (МТЛНС)

Модифицированная транзисторная логика с непосредственными связями (МТЛНС)Однако при этом сильно возрастает влияние накопления неосновных носителей и уменьшается быстродействие. Шунтирование базового резистора конденсатором позволяет увеличить его сопротивление и уменьшить перераспределение токов без потери быстродействия. Одновременно может быть увеличен допустимый разброс компонентов, используемых в цифровых интегральных схемах, и разброс питающих напряжений.

В результате такой модификации получается схема клапана.

Следует отметить, что, хотя увеличение сопротивления резисторов увеличивает требуемый статический перепад на выходе клапанов РКТЛ, конденсаторы С4 динамически связывают коллекторы выходных транзисторов с базами входных и только небольшая часть статического перепада напряжения требуется для того, чтобы динамически переключить нагрузку.

Наличие резисторно-конденсаторных связующих цепей позволяет схемам РКТЛ работать при малых уровнях поддерживающего тока и обеспечивает получение больших динамических токов от небольших перепадов напряжения в режимах переключения.

По своему запасу от помех схемы резисторно-конденсаторной транзисторной логики находятся на уровне схем модифицированной транзисторной логики с непосредственными связями.

Цифровые интегральные схемы резисторно-конденсаторной транзисторной логики 51-й серии фирмы Texas Instruments были выпущены несколько лет назад.

Все схемы 51-й серии используют одну и ту же главную матрицу интегральных компонентов и отличаются только картиной пленочных алюминиевых соединений. Изоляция компонентов выполняется методом трехкратной диффузии, причем резисторы изготовляются во время коллекторной диффузии.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →