Многоотверстные элементы

Многоотверстные элементыПоверхность пластинки очищают от пасты и металлизируют с помощью вакуумного напыления медью толщиной 0,0125 мм. На металлизированной пластинке фототравлением образуют проводящие дорожки, соединяющие проводящие каналы в] феррите с торцом пластинки. Все проводники на пластинке гальваническим путем покрывают низкотемпературным припоем, а пластинки собирают как мозаику на плате. Затем плату нагревают до температуры плавления припоя, а соответствующим образом совмещенные и соединенные проводящими участками торцов пластинки спаивают между собой в монолитную матрицу.

В результате образуется мозаичная ферритовая пластинка с ортогонально проходящими проводниками, пронизывающими ее через микроотверстия. Носителями информации являются участки феррита вокруг отверстий каждой элементарной пластинки.

Внешний радиус зоны хранения единицы информации составляет 0,1 мм. Из таких запоминающих элементов наиболее эффективно построение ЗУ типа Z с частичным переключением потока, т. е. при контролируемой длительности возбуждающих импульсов тока, которая определяет количество материала ферритовой пластинки, участвующего в переключении.

Построенные макеты ЗУ показали, что микроотверстные элементы могут переключаться при токе чтения 600 ма за 30 нсек.

При этом ток записи составлял 250 ма, а разрядный ток был равен 45 ма. Биполярные выходные сигналы в этом режиме равнялись ±85 мв.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →