Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Минимальный запас от помех

Минимальный запас от помехТехнические данные интегральных схем 51-й серии приведены в табл. 2.9. Кроме того, фирмой Texas Instruments выпущена серия цифровых интегральных схем РКТЛ серии 51R, отличающихся повышенной надежностью и предназначенных специально для аэрокосмических применений. Повышенная надежность этих схем достигается за счет введения дополнительного контроля в процессе изготовления и большего объема испытаний, которым подвергаются готовые схемы.

Таким образом, интегральные схемы резисторно-конденсаторной транзисторной логики широко применяются в тех цифровых аэрокосмических устройствах, которые не требуют большого быстродействия и допускают работу с частотой синхронизации до 500 кгц. При этом мощность, потребляемая такими системами, получается относительно небольшой, что имеет существенное значение для ряда космических применений. Диодно-транзисторная логика уже давно применяется в ЦВМ и достаточно хорошо известна.

Однако принципиальная схема типичного клапана ДТЛ, выполненного в интегральной форме, отличается от аналогичного клапана, собранного на дискретных компонентах, использованием диодов смещения уровня До вместо смещения, а также и тем, что сопротивление Ra в цепи базы инвертирующего транзистора в результате отсутствия смещения может быть подсоединено не к отрицательному напряжению смещения, а прямо к потенциалу эмиттера.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.