Метод диэлектрической изоляции двуокисью кремния

Метод диэлектрической изоляции двуокисью кремнияТаким образом, метод диэлектрической изоляции двуокисью кремния позволяет изготовлять разнообразные интегральные полупроводниковые компоненты с характеристиками, не уступающими характеристикам дискретных компонентов. Однако такой метод изоляции пока более сложен, чем обычный метод изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом, и поэтому применять его целесообразно в том случае, когда необходимо получить интегральные компоненты, у которых не было бы недостатков, присущих компонентам, получаемым при использовании обычного метода изоляции.

Наиболее перспективным является применение интегральных схем с диэлектрической изоляцией для высокочастотных цифровых схем, видеоусилителей и высокочастотных дифференциальных усилителей, а также для цифровых схем, работающих при малых токах. Ожидается также, что схемы с диэлектрической изоляцией обеспечат более надежную работу при высоких уровнях радиации, что особенно важно для аэрокосмических применений.

Различные методы изоляции могут применяться при изготовлении интегральных схем как по отдельности, так и комбинированно, обеспечивая создание интегральных компонентов с хорошими электрическими параметрами, обладающих высокой надежностью при малых размерах. Рассмотрим наиболее общие планарные транзисторные структуры, используемые в интегральных схемах.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью