Таким образом, метод диэлектрической изоляции двуокисью кремния позволяет изготовлять разнообразные интегральные полупроводниковые компоненты с характеристиками, не уступающими характеристикам дискретных компонентов. Однако такой метод изоляции пока более сложен, чем обычный метод изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом, и поэтому применять его целесообразно в том случае, когда необходимо получить интегральные компоненты, у которых не было бы недостатков, присущих компонентам, получаемым при использовании обычного метода изоляции.
Наиболее перспективным является применение интегральных схем с диэлектрической изоляцией для высокочастотных цифровых схем, видеоусилителей и высокочастотных дифференциальных усилителей, а также для цифровых схем, работающих при малых токах. Ожидается также, что схемы с диэлектрической изоляцией обеспечат более надежную работу при высоких уровнях радиации, что особенно важно для аэрокосмических применений.
Различные методы изоляции могут применяться при изготовлении интегральных схем как по отдельности, так и комбинированно, обеспечивая создание интегральных компонентов с хорошими электрическими параметрами, обладающих высокой надежностью при малых размерах. Рассмотрим наиболее общие планарные транзисторные структуры, используемые в интегральных схемах.