Таким образом, комбинация основных и вспомогательных технологических процессов позволяет осуществить осаждение на подложке интегральных пленочных компонентов и межсхемных соединений из нужных материалов, имеющих заданные размеры и форму. Основные технологические процессы изготовления полупроводниковых областей Основные технологические процессы обеспечивают формирование в полупроводниковых пластинках областей с проводимостями различных типов и концентраций.
При этом области нужной глубины формируются с поверхности полупроводниковой пластины. Кроме того, основные технологические процессы обеспечивают также выращивание на поверхности полупроводниковой пластинки или другой подложки полупроводниковых пленок требуемой толщины, также имеющих проводимости различных типов и концентраций.
Как и в случае тонких пленок, известно большое число полупроводниковых материалов, которые можно использовать для изготовления интегральных схем, однако в настоящее время практически используется, главным образом, монокристаллический кремний. Это объясняется двумя причинами: во-первых, хорошей стабильностью и хорошими характеристиками компонентов интегральных схем, изготовленных на основе монокристаллического кремния, и, во-вторых, хорошими защитными свойствами двуокиси кремния Si02, предохраняющей поверхности сформированных в кремнии электронно-дырочных переходов и обеспечивающей применение маскирования во время технологических процессов изготовления этих переходов.