Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Металлические маски

Металлические маскиТаким образом, комбинация основных и вспомогательных технологических процессов позволяет осуществить осаждение на подложке интегральных пленочных компонентов и межсхемных соединений из нужных материалов, имеющих заданные размеры и форму. Основные технологические процессы изготовления полупроводниковых областей Основные технологические процессы обеспечивают формирование в полупроводниковых пластинках областей с проводимостями различных типов и концентраций.

При этом области нужной глубины формируются с поверхности полупроводниковой пластины. Кроме того, основные технологические процессы обеспечивают также выращивание на поверхности полупроводниковой пластинки или другой подложки полупроводниковых пленок требуемой толщины, также имеющих проводимости различных типов и концентраций.

Как и в случае тонких пленок, известно большое число полупроводниковых материалов, которые можно использовать для изготовления интегральных схем, однако в настоящее время практически используется, главным образом, монокристаллический кремний. Это объясняется двумя причинами: во-первых, хорошей стабильностью и хорошими характеристиками компонентов интегральных схем, изготовленных на основе монокристаллического кремния, и, во-вторых, хорошими защитными свойствами двуокиси кремния Si02, предохраняющей поверхности сформированных в кремнии электронно-дырочных переходов и обеспечивающей применение маскирования во время технологических процессов изготовления этих переходов.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.