Материал и проводимость

Материал и проводимостьПроводимость канала может модулироваться электрическим полем, образованным напряжением на металлическом затворе, изолированном от канала слоем двуокиси кремния. В отличие от плоскостного полевого транзистора, поле здесь может иметь любую полярность, при этом для одной полярности канал может быть сделан более узким (с обеднением), а при-другой полярности он получается более широким (с обогащением). Как и МОП транзисторы с обогащением, эти транзисторы также могут быть р — и л-типа.

Важнейшим свойством МОП транзисторов является исключительно высокое входное сопротивление, достигающее.

1015-101в ом, что объясняется хорошей изоляцией затвора слоем двуокиси кремния.

Однако по шумовым характеристикам и по стабильности МОП транзисторы уступают плоскостным полевым транзисторам, так как они сильно зависят от изменения поверхностного состояния кремния и от состояния двуокиси кремния. Высокое входное сопротивление МОП транзисторов позволяет создавать цифровые схемы с малым потреблением мощности и большим разветвлением на выходе, величина которого ограничивается только тем влиянием, которое добавочные входные емкости оказывают на быстродействие схемы.

Отличительной чертой МОП транзисторов с обогащением, является возможность создания инвертирующих каскадов при непосредственной связи между ними, не требующей никаких цепей сдвига уровня. Это свойство позволяет легко создавать всевозможные цифровые схемы, особенно при совместном использовании приборов р-и л-типов.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью