Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Маскированная диффузия

Маскированная диффузияНа этом высокотемпературные технологические этапы производства полупроводниковых областей кончаются, оставляя покрытую слоем двуокиси кремния (толщиной около 1 мкм) пластинку монолитного кремния, содержащую транзисторы и перемыкающие каналы. Последний слой двуокиси кремния должен быть сделан особенно тщательно, поскольку он будет служить подложкой во время дальнейших технологических процессов осаждения пассивных тонкопленочных компонентов.

Технологические процессы осаждения тонкопленочных резисторов, проводников и диэлектриков должны выполняться при достаточно низкой температуре, так чтобы в кремниевой структуре не происходило никаких изменений. Процесс начинается с напыления на всю поверхность пластины алюминиевой пленки, в которой через фоторезистивную маску вытравливают окна нужной формы для нихромовых резисторов.

После этого фоторезист удаляют, а на всю поверхность пластины напыляют нихром, попадающий и на алюминий и в окна.

Сопротивление слоя нихрома в процессе напыления контролируют с помощью контрольного резистора. Когда сопротивление контрольного резистора достигает заданной величины, дальнейшее напыление нихромовой пленки прекращается, обеспечивая изготовление точных резисторов.

Затем путем травления через фоторезистивную массу алюминиевую пленку вместе с осажденным на ней нихромом выборочно удаляют, оставляя невытравленными только омические контактные площадки и нихромовые резисторы, напыленные непосредственно на слой.

Комментарии запрещены.