На этом высокотемпературные технологические этапы производства полупроводниковых областей кончаются, оставляя покрытую слоем двуокиси кремния (толщиной около 1 мкм) пластинку монолитного кремния, содержащую транзисторы и перемыкающие каналы. Последний слой двуокиси кремния должен быть сделан особенно тщательно, поскольку он будет служить подложкой во время дальнейших технологических процессов осаждения пассивных тонкопленочных компонентов.
Технологические процессы осаждения тонкопленочных резисторов, проводников и диэлектриков должны выполняться при достаточно низкой температуре, так чтобы в кремниевой структуре не происходило никаких изменений. Процесс начинается с напыления на всю поверхность пластины алюминиевой пленки, в которой через фоторезистивную маску вытравливают окна нужной формы для нихромовых резисторов.
После этого фоторезист удаляют, а на всю поверхность пластины напыляют нихром, попадающий и на алюминий и в окна.
Сопротивление слоя нихрома в процессе напыления контролируют с помощью контрольного резистора. Когда сопротивление контрольного резистора достигает заданной величины, дальнейшее напыление нихромовой пленки прекращается, обеспечивая изготовление точных резисторов.
Затем путем травления через фоторезистивную массу алюминиевую пленку вместе с осажденным на ней нихромом выборочно удаляют, оставляя невытравленными только омические контактные площадки и нихромовые резисторы, напыленные непосредственно на слой.