Емкость на единицу изолирующей поверхности слоя двуокиси кремния изменяется обратно пропорционально его толщине. Если для изоляции используется слой двуокиси кремния толщиной 2 мкм, то изолированный остров, в котором размещается интегральный транзистор с размерами 70×110 мкм, будет иметь полную емкость относительно подложки, равную 0,3 пф, или на порядок меньше, чем при использовании изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом.
Ток утечки так мал, что практически им можно полностью пренебречь. Большие возможности открывает и метод диэлектрической изоляции двуокисью кремния с образованием металлических ванночек, когда между изолирующим слоем двуокиси кремния и монокристаллическим кремнием формируется металлическая пленка.
Обычно для этой цели используется молибден, который, осаждаясь, образует слой MoSi2, обладающий примерно такой же проводимостью, как и металлическая пленка.
В результате каждый изолированный остров монокристаллического кремния оказывается в металлической ванночке. При этом коллекторные выводы интегральных транзисторов соединяются с металлическими ванночками, обеспечивая получение такого же и даже еще меньшего коллекторного сопротивления насыщения включенного транзистора, чем то, которым обладают лучшие дискретные двусторонние транзисторы.
Этот метод изоляции также допускает применение для каждого интегрального прибора кремния нужного типа проводимости и требуемой концентрации.