Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Малое пробивное напряжение

Малое пробивное напряжениеЕмкость на единицу изолирующей поверхности слоя двуокиси кремния изменяется обратно пропорционально его толщине. Если для изоляции используется слой двуокиси кремния толщиной 2 мкм, то изолированный остров, в котором размещается интегральный транзистор с размерами 70×110 мкм, будет иметь полную емкость относительно подложки, равную 0,3 пф, или на порядок меньше, чем при использовании изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом.

Ток утечки так мал, что практически им можно полностью пренебречь. Большие возможности открывает и метод диэлектрической изоляции двуокисью кремния с образованием металлических ванночек, когда между изолирующим слоем двуокиси кремния и монокристаллическим кремнием формируется металлическая пленка.

Обычно для этой цели используется молибден, который, осаждаясь, образует слой MoSi2, обладающий примерно такой же проводимостью, как и металлическая пленка.

В результате каждый изолированный остров монокристаллического кремния оказывается в металлической ванночке. При этом коллекторные выводы интегральных транзисторов соединяются с металлическими ванночками, обеспечивая получение такого же и даже еще меньшего коллекторного сопротивления насыщения включенного транзистора, чем то, которым обладают лучшие дискретные двусторонние транзисторы.

Этот метод изоляции также допускает применение для каждого интегрального прибора кремния нужного типа проводимости и требуемой концентрации.

Комментарии запрещены.