По своей природе пленочные запоминающие элементы являются быстродействующими приборами, поскольку процесс переключения их намагниченности может быть сделан когерентным. Использование механизма магнитной анизотропии тонких магнитных пленок позволяет строить ЗУ с достаточно широкой областью устойчивой работы при изменениях возбуждающих токов и рабочей температуры. Магнитные тонкие пленки обещают значительное удешевление ЗУ, так как массив запоминающих элементов в виде матрицы со всеми необходимыми селектирующими проводниками может быть получен в ходе единого технологического процесса при высокой плотности размещения запоминающих элементов.
Для получения тонких магнитных пленок используют обычно железоникелевые и никель-кобальтовые сплавы, осаждаемые в виде пленок толщиной от сотен до тысяч ангстрем на соответствующую подложку.
В качестве подложки могут быть использованы как проводниковые материалы, так и диэлектрики, например, алюминий, бериллиевые сплавы, серебро, стекло, пластик.
Выбор подложки зависит от типа пленочного запоминающего элемента и от способа организации ЗУ. Известно несколько типов пленочных элементов, находящихся на различных стадиях разработки, производства и применения.
Это прямоугольные и круглые плоские пленки с разомкнутой магнитной цепью, двухслойные плоские пленки с частично замкнутой магнитной цепью (бикоры), цилиндрические пленки на стержнях (роды), на решетке из пластика (ортокоры), на полых трубках и на проволоке в плетеных матрицах, а также сплошные тонкопленочные листы. Магнитные тонкие пленки позволяют строить ЗУ с селекцией как по совпадению токов, так и по типу Z.