Линейные интегральные схемы

Линейные интегральные схемыОтличительной особенностью этих схем является то, что здесь в одной структуре одновременно используются транзисторы типов п-р-п и р-п-р. Первые четыре схемы используют главную матрицу интегральных компонентов, содержащую два р-п-р и пять п-р-п транзисторов и 8 резисторов, общее сопротивление которых достигает 150 ком. Диффузионные резисторы р-типа имеют многочисленные отводы, позволяющие получить минимальное сопротивление, равное 390 ом. Транзисторы типа п-р-п могут использоваться как диоды (эмиттер соединяется с коллектором) и как р-п-р транзисторы, образованные изоляционной областью п-р-п транзистора р-типа, коллектором п-р-п транзистора n-типа и его базой р-типа. Эта главная матрица была разработана в 1962 г. и изготовляется четырехкратной диффузией, используя в качестве подложки кремний n-типа.

Главная матрица двух последних интегральных схем 52-й серии, выпущенных в начале 1965 г., содержит уже 4 транзистора р-п-р, 10 транзисторов п-р-п и 68 резисторов общим сопротивлением 300 ком. Часть п-р-п транзисторов расположена парами близко друг к другу, чем обеспечивается хорошее согласование характеристик транзисторов, используемых в дифференциальных каскадах. Схемы, входящие в состав 52-й серии линейных интегральных схем операционных дифференциальных усилителей фирмы Texas Instruments, имеют ряд интересных особенностей.

Так, в схеме SN523 имеется возможность путем внешнего перемыкания соответствующих выводов изменять усиление по напряжению от 40 до 73 дб.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →