Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Компоненты интегральных схем

Компоненты интегральных схемМалое пробивное напряжение приборов, получаемых при использовании изоляции смещенными в обратном направлении р-п переходами. Метод изоляции диэлектриком.

Типичная окончательная структура, получаемая при этом методе изоляции.

Каждый изолированный остров окружен двуокисью кремния, что обеспечивает почти полную изоляцию его от подложки и одного прибора от другого Имеется несколько путей получения такой структуры с изоляцией двуокисью кремния, основанных или на вытравливании пазов между островами или на эпитаксиальном выращивании островов с оставлением пазов между ними.

Хотя технология изготовления структуры с изоляцией двуокисью кремния более сложна, чем технология изготовления структуры с изоляцией смещенным в обратном направлении р-п переходом, однако она позволяет получить интегральные приборы со значительно более высокими пробивными напряжениями и улучшенными характеристиками, в том числе и с разным временем жизни неосновных носителей, поскольку слой Si02 маскирует диффузию золота, обеспечивая возможность его выборочной диффузии.

Недостатком структуры является несколько ухудшенная теплопроводность, возникающая из-за малой теплопроводности двуокиси кремния. Однако это не представляет очень большой проблемы, так как слой двуокиси кремния может быть сделан достаточно тонким.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.