Малое пробивное напряжение приборов, получаемых при использовании изоляции смещенными в обратном направлении р-п переходами. Метод изоляции диэлектриком.
Типичная окончательная структура, получаемая при этом методе изоляции.
Каждый изолированный остров окружен двуокисью кремния, что обеспечивает почти полную изоляцию его от подложки и одного прибора от другого Имеется несколько путей получения такой структуры с изоляцией двуокисью кремния, основанных или на вытравливании пазов между островами или на эпитаксиальном выращивании островов с оставлением пазов между ними.
Хотя технология изготовления структуры с изоляцией двуокисью кремния более сложна, чем технология изготовления структуры с изоляцией смещенным в обратном направлении р-п переходом, однако она позволяет получить интегральные приборы со значительно более высокими пробивными напряжениями и улучшенными характеристиками, в том числе и с разным временем жизни неосновных носителей, поскольку слой Si02 маскирует диффузию золота, обеспечивая возможность его выборочной диффузии.
Недостатком структуры является несколько ухудшенная теплопроводность, возникающая из-за малой теплопроводности двуокиси кремния. Однако это не представляет очень большой проблемы, так как слой двуокиси кремния может быть сделан достаточно тонким.