Аналогичный транзисторный эффект возможен и в других интегральных компонентах, использующих базовую диффузию, и он должен учитываться при разработке полупроводниковых интегральных схем. Путем соответствующих технологических приемов и тщательного проектирования паразитные явления, свойственные планарным интегральным транзисторам с изоляцием р-п переходами, могут быть существенно уменьшены. Таким образом, несмотря на многочисленные технологические трудности, современные интегральные транзисторы с изоляцией смещенным в обратном направлении р-п переходом обеспечивают получение электрических характеристик, приближающихся к характеристикам планарных дискретных транзисторов, а интегральные транзисторы с диэлектрической изоляцией могут иметь еще лучшие электрические характеристики.
Структуры интегральных планарных транзисторов более сложны, чем у дискретных планарных транзисторов, благодаря чему при массовом производстве у интегральных планарных транзисторов, находящихся в разных интегральных схемах, получается больший, чем у дискретных транзисторов абсолютный разброс параметров.