Оборудование

Изоляция с помощью смещенных в обратном направлении переходов

Изоляция с помощью смещенных в обратном направлении переходовВсе интегральные компоненты используют один и тот же исходный материал, тогда как оптимальным явилось бы для каждого типа интегральных приборов использование кремния со своим удельным сопротивлением, что позволило бы улучшить параметры приборов. Невозможно получить в одной пластине кремния р-п-р и п-р-п транзисторы, у которых хотя бы один из коллекторов не был сделан диффузией и не имел бы изменения степени легирования с глубиной, приводящего к получению высокого коллекторного сопротивления насыщения. Невозможно получить компоненты интегральных схем с разным временем жизни неосновных носителей, так как нельзя осуществить выборочную диффузию золота в кремний, и поэтому вся кремниевая пластина изготовляется или с большим или с малым временем жизни неосновных носителей, позволяя получить или только быстрые или только медленные приборы.

Даже несмотря на применение сильно легированных утопленных слоев, трудно получить малое коллекторное сопротивление насыщения транзистора, особенно при небольших коллекторных выводах и больших токах.

Емкостная связь с подложкой, получаемая при изоляции р-п переходами, достаточно велика и оказывает существенное влияние на высокой частоте.

Наличие заметных токов утечки, особенно при высоких температурах, сказывается при изготовлении приборов с большой поверхностью изолирующего р-п перехода.

Комментарии запрещены.