Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Интегральные планарные транзисторы

Интегральные планарные транзисторыПока основной транзистор выключен, его переход коллектор — база смещен в обратном направлении и паразитный транзистор также выключен. В этом случае его можно рассматривать просто как смещенный в обратном направлении паразитный диод, подсоединенный к подложке и вносящий паразитную емкость и ток утечки.

Как только основной транзистор включается и входит в насыщение, его переход коллектор-база оказывается смещенным в прямом направлении, благодаря чему подключается к подложке и паразитный транзистор, в который будет отбираться часть тока возбуждения базы основного транзистора, ограничивая степень его насыщения. Это дает такой же эффект, как будто неосновные носители, дрейфующие через коллектор, собираются в подложке.

Хотя обычно коллекторная область имеет достаточно большую глубину, так что получающаяся структура делает этот транзистор неэффективным, он тем не менее способен пропустить определенное количество тока, особенно когда структура не легирована золотом.

В этом случае усиление по постоянному току в режиме с общим эмиттером может лежать в пределах от 1 до 5. При использовании легирования золотом время жизни неосновных носителей уменьшается и коэффициент переноса базы паразитного транзистора фактически становится равным нулю, благодаря чему значение усиления по постоянному току в режиме с общим эмиттером снижается до величины порядка 0,01 и действие паразитного транзистора, по существу, устраняется.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.