Работы фирмы Autonetics (США) по исследованию слоистых структур привели к разработке метода наращивания монокристаллического эпитаксиального феррита на подложку из окиси магния. Линии проводников шириной 50-75 мкм предварительно осаждают на окись магния, а ферритовый кристалл наращивают поверх них и вокруг системы золотых проволок толщиной 50-75 мкм, подвешенных над окисью магния.
В результате может быть получен блок памяти толщиной 380-500 мкм с плотностью размещения информации 16 двоичных знаков на 1 мм2. Каждый такой блок вмещает один разряд всех чисел, хранимых в памяти.
Фирма испытывала макеты ЗУ с длиной слова 30 разрядов, применяя методы чтения без разрушения информации. Результаты испытаний показали, что память этого типа экономична в производстве и совместима с интегральными схемами.
При токе 30 ма частота считывания может быть получена до 10 Мгц. Плотность размещения информации может быть достигнута 30 ед./мм3, но при этом возникают серьезные проблемы межсоединений и рассеивания мощности.
Применение термостабильных ферритов в слоистых структурах открывает большие возможности в области создания высоконадежных быстродействующих миниатюрных магнитных ЗУ большой емкости с применением кремниевых интегральных схем возбуждения и считывания выходных сигналов. Другим направлением миниатюризации оперативных ЗУ являются тонкие магнитные пленки, которые позволяют строить весьма быстродействующие компактные и потенциально дешевые устройства.