Ферритовые пластины

Ферритовые пластиныРаботы фирмы Autonetics (США) по исследованию слоистых структур привели к разработке метода наращивания монокристаллического эпитаксиального феррита на подложку из окиси магния. Линии проводников шириной 50-75 мкм предварительно осаждают на окись магния, а ферритовый кристалл наращивают поверх них и вокруг системы золотых проволок толщиной 50-75 мкм, подвешенных над окисью магния.

В результате может быть получен блок памяти толщиной 380-500 мкм с плотностью размещения информации 16 двоичных знаков на 1 мм2. Каждый такой блок вмещает один разряд всех чисел, хранимых в памяти.

Фирма испытывала макеты ЗУ с длиной слова 30 разрядов, применяя методы чтения без разрушения информации. Результаты испытаний показали, что память этого типа экономична в производстве и совместима с интегральными схемами.

При токе 30 ма частота считывания может быть получена до 10 Мгц. Плотность размещения информации может быть достигнута 30 ед./мм3, но при этом возникают серьезные проблемы межсоединений и рассеивания мощности.

Применение термостабильных ферритов в слоистых структурах открывает большие возможности в области создания высоконадежных быстродействующих миниатюрных магнитных ЗУ большой емкости с применением кремниевых интегральных схем возбуждения и считывания выходных сигналов. Другим направлением миниатюризации оперативных ЗУ являются тонкие магнитные пленки, которые позволяют строить весьма быстродействующие компактные и потенциально дешевые устройства.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →