Оборудование

Эпитаксиальное выращивание

Эпитаксиальное выращиваниеПод влиянием высокой температурыпроисходит реакция восстановления, в результате которой кремний осаждается на поверхности кремниевых пластин, нагретых до 1200° С, и образует монокристаллическую пленку кремния, а получающиеся в процессе реакции пары HCI удаляются из зоны реакции. Если нужно, к несущему газу могут быть добавлены примеси ВВг3 или РС13, образующие области кремния, легированные, соответственно, бором или фосфором. Путем изменения количества и типа примесей во время цикла выращивания может быть получено сложное распределение концентрации и различные электронно-дырочные переходы.

Однако применение этого метода ограничивается отсутствием достаточно точных методов маскирования для получения нужной поверхностной геометрии легированных областей.

Поэтому в настоящее время метод эпитаксиального выращивания чаще всего используется для нанесения на пластину эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния единообразной концентрации, а требуемое управление геометрическими размерами и формой легированных областей достигается путем диффузии. Вспомогательные технологические процессы изготовления полупроводниковых областей Приготовление кремниевых пластин.

Чаще всего для изготовления кремниевых интегральных схем используются монокристаллические кремниевые пластины диаметром 25-30 мм и толщиной 80-250 мкм, получаемые обычно из тянутых монокристаллов кремния р — или л-типа (в зависимости от требуемых структур).

Комментарии запрещены.