Эпитаксиальное выращивание

Эпитаксиальное выращиваниеПод влиянием высокой температурыпроисходит реакция восстановления, в результате которой кремний осаждается на поверхности кремниевых пластин, нагретых до 1200° С, и образует монокристаллическую пленку кремния, а получающиеся в процессе реакции пары HCI удаляются из зоны реакции. Если нужно, к несущему газу могут быть добавлены примеси ВВг3 или РС13, образующие области кремния, легированные, соответственно, бором или фосфором. Путем изменения количества и типа примесей во время цикла выращивания может быть получено сложное распределение концентрации и различные электронно-дырочные переходы.

Однако применение этого метода ограничивается отсутствием достаточно точных методов маскирования для получения нужной поверхностной геометрии легированных областей.

Поэтому в настоящее время метод эпитаксиального выращивания чаще всего используется для нанесения на пластину эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния единообразной концентрации, а требуемое управление геометрическими размерами и формой легированных областей достигается путем диффузии. Вспомогательные технологические процессы изготовления полупроводниковых областей Приготовление кремниевых пластин.

Чаще всего для изготовления кремниевых интегральных схем используются монокристаллические кремниевые пластины диаметром 25-30 мм и толщиной 80-250 мкм, получаемые обычно из тянутых монокристаллов кремния р — или л-типа (в зависимости от требуемых структур).

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →