Типичный клапан ДТЛ образует схему НЕ-И для положительных сигналов или схему НЕ-ИЛИ для отрицательных сигналов. Когда один из выходных транзисторов предыдущих клапанов, подсоединенных ко входам клапана, включен, то потенциал точки А оказывается выше потенциала эмиттера на величину напряжения коллектор — эмиттер этого включенного насыщенного транзистора предыдущего каскада плюс падение напряжения на подсоединенном к этому входу диоде Ml от тока, проходящего через резистор Rb — При этом, благодаря наличию запертых диодов смещения цепи возбуждения базы, выходной транзистор клапана Т будет выключен. Когда все выходные транзисторы предыдущих клапанов будут выключены, входные логические диоды Ml перестанут проводить ток и потенциал в точке А начнет возрастать до тех пор, пока не станет выше порогового напряжения включения диодов смещения Мо и напряжения база — эмиттер транзистора Т. При этом весь ток, протекающий через резистор Rb, потечет теперь через базу транзистора Т и. резистор Ra, в результате чего транзистор Т включится и окажется в состоянии насыщения.
Использование запертых диодов смещения для образования порогового уровня обеспечивает схемам ДТЛ получение большого запаса от помех.
Наличие базового резистора Ra не является принципиально необходимым, однако он обычно используется для отвода транзисторного тока утечки, а также как цепь для дополнительного обратного тока базы транзистора Т при выключении.