Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Диффузия легирующих примесей

Диффузия легирующих примесейДля обеспечения лучшего управления процессом диффузии и предохранения поверхности кремниевых пластин от разрушения этот процесс обычно производится в 2 этапа: на первом этапе примеси осаждаются на поверхность кремниевой пластины и слегка диффундируют внутрь ее, а на втором этапе производится окончательная диффузия примесей на нужную глубину. Во время второго этапа нагрев производится в окисляющей атмосфере, благодаря которой на поверхности образуется защитный слой Si02, предохраняющий поверхность кремния от проникновения большинства примесей.

Кроме того, наличие окисляющей атмосферы позволяет производить длительную диффузию при высокой температуре (1200° С) без ухудшения состояния поверхности кремниевых пластин.

Выращенный во время второго этапа окисный слой используется также и для маскирования во время дальнейшей обработки. Для получения нужных легированных областей в процессе диффузии необходимо соблюдать исключительную чистоту и очень точный температурный контроль.

Несмотря на наличие многочисленных проблем и трудностей, хорошо разработанный диффузионный процесс дает прекрасные результаты. Концентрации примесей в несущем газе могут контролироваться очень точно, обеспечивая хорошее управление глубиной диффузионной области в диапазоне от десятков микрон до долей микрона.

В большинстве современных структур используются очень тонкие диффузионные слои.

Например, глубина эмитерной области транзистора может достигать всего 1 мкм, а глубина базовой области — 1,25 мкм, что обеспечивает получение базы толщиной 0,25 мкм с точностью ±0,075 мкм.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.